2月2日芯闻汇总

  • 时间:2024-02-02
  • 作者:创芯时代
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1.消息称三星 3nm GAA 工艺试产失败,Exynos 2500 芯片被打上问号

IT之家 2 月 2 日消息,根据韩媒 DealSite+ 报道,三星的 3nm GAA 生产工艺存在问题,尝试生产适用于 Galaxy S25 / S25+ 手机的 Exynos 2500 芯片,均存在缺陷,良品率 0%。


2.台积电取得集成芯片专利,实施例提供了集成芯片以及用于形成集成芯片的方法

金融界2024年2月1日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成芯片以及用于形成集成芯片的方法“,授权公告号CN111129293B,申请日期为2019年10月。专利摘要显示,本申请的一些实施例涉及集成芯片,包括存储器件。存储器件包括设置在半导体衬底上的底部电极。上部电极设置在底部电极上。插入式金属/介电结构夹在底部电极和上部电极之间。插入式金属/介电结构包括在底部电极上方的下介电层、在下介电层上方的上介电层以及将上介电层与下介电层分开的第一金属层。本申请的实施例提供了集成芯片以及用于形成集成芯片的方法。


3.美媒:中国芯片初创企业融资远超美国

参考消息网2月1日报道 据美国石英财经网站1月30日报道,在计算机芯片风险投资方面,美国与中国之间的差距从未如此之大。报道称,市场研究公司“项目建议书”数据公司最近的一份报告显示,2023年,美国在全球半导体初创企业融资中所占的份额仅为11%,而中国占75%。“项目建议书”数据公司将半导体初创企业定义为从事芯片设计和制造以及相关产品和设备的公司。在美国收紧对英伟达公司和超威半导体公司等制造商生产的人工智能芯片的出口管制之后,中国已将建设半导体产业列为优先事项。中国推出了由国家支持的投资工具——国家集成电路产业投资基金。尽管美国2022年通过芯片法案——该法案将为美国国内半导体制造和研究提供超过500亿美元的补贴,以期减少对中国的依赖——但去年美国在全球芯片风险投资中所占的份额仍略有下降。


4.晶合集成:40纳米OLED显示驱动芯片已正式流片,28纳米产品开发正在推进中

晶合集成近期接受投资者调研时称,40纳米OLED显示驱动芯片已正式流片,28纳米产品开发正在稳步推进中。公司目前的产能是11.5万片/月,公司将根据市场需求情况弹性调整产能扩充节奏。


5.Meta今年将部署新版自研定制芯片,为AI研发助力

路透2月1日消息,公司内部文件显示,Meta Platforms计划今年在其数据中心部署新版自研定制芯片,旨在支持其人工智能发展。Meta发言人证实了上述计划,表示这款芯片将与公司购买的其他现成GPU协调工作。研究机构SemiAnalysis创始人Dylan Patel表示,考虑到Meta的运营规模,成功部署自研芯片有望每年节省数亿美元能源成本和数十亿美元芯片采购成本。


6.英特尔据悉推迟美国俄亥俄州200亿美元芯片制造项目

华尔街日报消息,英特尔将推迟美国俄亥俄州200亿美元芯片制造项目的建设时间表,原因是市场面临挑战,而美国政府的补助资金发放缓慢。英特尔最初计划明年在俄亥俄州启动芯片制造,但相关人士透露,目前该项目两座芯片厂的建设预计要到2026年底才能完成。


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